dc.contributor.author |
Ozaslan, Dogan |
|
dc.contributor.author |
Gunes, Mustafa |
|
dc.contributor.author |
Gumus, Cebrail |
|
dc.date.accessioned |
2019-11-14T07:38:02Z |
|
dc.date.available |
2019-11-14T07:38:02Z |
|
dc.date.issued |
2017 |
|
dc.identifier.citation |
Ozaslan, D., Gunes, M., & Gumus, C. (2017). Physical properties of Cu2O thin films prepared by silar method. Pamukkale University Journal of Engineering Sciences-Pamukkale Universitesi Muhendislik Bilimleri Dergisi, 23(7), 854-857. https://doi.org/10.5505/pajes.2016.58672 |
tr_TR |
dc.identifier.issn |
1300-7009 |
|
dc.identifier.issn |
2147-5881 |
|
dc.identifier.uri |
http://openaccess.adanabtu.edu.tr:8080/xmlui/handle/123456789/565 |
|
dc.identifier.uri |
https://doi.org/10.5505/pajes.2016.58672 |
|
dc.description |
WOS indeksli yayınlar koleksiyonu. / WOS indexed publications collection.
TR Dizin indeksli yayınlar koleksiyonu. / TR Dizin indexed publications collection. |
|
dc.description.abstract |
Silar metodu kullanılarak 70 °C'de cam alttabanlar üzerine polikristal Cu2O ince filmleri elde edildi. XRD analizleri filmlerin kübik yapıda olduğunu gösterdi ve örgü parametreleri hesaplandı. Filmlerin yüzey morfolojisi alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FE-SEM) ile görüntülendi. Filmlerin optik özelliklerini belirlemek için UV/vis spektrofotometresi kullanılmıştır. Filmlerin oda sıcaklığındaki optik geçirgenlik (% T) değerleri 300-1100 nm dalga boyu aralığında belirlenmiştir. Yarıiletken Cu2O ince filmlerinin görünür bölgedeki optik geçirgenlik değerleri %50-70 olarak bulunmuştur. Filmlerin enerji bant aralığı değerleri (Eg) 2.53-2.62 eV bulundu. |
tr_TR |
dc.description.abstract |
Polycrystalline Cu2O thin films were obtained on glass substrates using by silar method at 70 °C.XRD analysis showed the films are a cubic structure and lattice parameters were calculated. The surface morphology of the films were imaged by FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope). In order to determine the optical properties of the Cu2O thin films UV/vis spectrophotometer was used. Optical transmittance (T %) values of the Cu2O films were determined in the wavelength range 300-1100 nm at room temperature. Semiconductor Cu2O of the thin films optical transmittance values were found to be 50-70% in the visible region. Energy band gap values (Eg) of the films were found to be 2.53-2.62 eV. |
|
dc.language.iso |
other |
tr_TR |
dc.publisher |
PAMUKKALE UNIVERSITY JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES-PAMUKKALE UNIVERSITESI MUHENDISLIK BILIMLERI DERGISI / PAMUKKALE UNIV |
tr_TR |
dc.relation.ispartofseries |
2017;Volume: 23 Issue: 7 |
|
dc.subject |
Silar method |
tr_TR |
dc.subject |
Thin film |
|
dc.subject |
Cu2O |
|
dc.subject |
Physical properties |
|
dc.subject |
CHEMICAL BATH DEPOSITION |
|
dc.subject |
SOLAR-CELLS |
|
dc.subject |
CUO |
|
dc.subject |
Engineering |
|
dc.subject |
Multidisciplinary |
|
dc.subject |
Silar metodu |
|
dc.subject |
İnce film |
|
dc.subject |
Cu2O |
|
dc.subject |
Fiziksel özellikler |
|
dc.title |
Sılar metodu ile hazırlanan Cu2O ince filmlerin fiziksel özellikleri |
tr_TR |
dc.title.alternative |
Physical properties of Cu2O thin films prepared by silar method |
|
dc.type |
Article |
tr_TR |